Le Galaxy S25 inaugure le tout nouveau Exynos 2500 sur certains marchés. C’est le premier SoC Samsung grand public gravé en 3 nm GAA (Gate-All-Around), une technologie que le fondeur présente comme le prochain tournant majeur dans la miniaturisation.
Mais que donnent réellement les premiers benchmarks ?
Quelle est la traduction concrète de cette gravure inédite sur les performances brutes, l’efficacité énergétique ou les performances AI ?
La gravure 3 nm GAA marque une rupture par rapport au FinFET, utilisé depuis presque une décennie.
Les premiers benchmarks permettent d’observer comment cette structure apporte ses premiers bénéfices.
Dans les tests single-core, le gain reste modéré, mais les scores multi-core montrent une progression plus significative.
Cela confirme l’un des atouts majeurs du GAA : mieux alimenter des clusters très hétérogènes sans montée excessive en température.
Les premières mesures montrent :
Le 3 nm GAA n’offre donc pas un bond spectaculaire à l’instant T, mais une constance renforcée dès que le CPU est sollicité plus de quelques secondes.
Le cœur principal Cortex X5 semble profiter d’une alimentation plus régulière.
Lors des charges rapides, on observe moins de micro-variations de fréquence, ce qui donne un score légèrement supérieur par rapport au 4 nm précédent.
Ce n’est pas un saut spectaculaire, mais une courbe de performance mieux tenue.
Le GPU Xclipse de nouvelle génération affiche des scores intéressants dans les premiers benchs.
Le 3 nm GAA ne booste pas le pic de puissance brute, mais influence surtout la régularité thermique.
Cela donne des avantages clairs dans :
Ce comportement reflète une particularité du GAA : la structure entoure totalement le canal, permettant un contrôle plus précis des courants, et donc une réduction des pertes thermiques.
La vraie promesse du GAA n’est pas la puissance brute, mais l’efficacité.
Les premiers benchmarks énergétiques montrent un schéma intéressant.
Ces valeurs s’expliquent par le fait que le GAA permet de réduire fortement les fuites électriques dans les plages basses et moyennes d’usage, alors que les charges extrêmes profitent surtout d’une meilleure stabilité thermique.
La conclusion est limpide :
l’efficacité se voit surtout dans tout ce qui sollicite le processeur de manière irrégulière, ce qui représente une immense partie de l’utilisation réelle d’un smartphone.
Le NPU du 2500 est l’un des volets les plus revisités.
La gravure 3 nm GAA permet de pousser davantage de calculs en parallèle sans excéder les températures.
Les benchs démontrent que le NPU profite mieux que le CPU et le GPU de cette gravure.
La densité plus élevée permet d’intégrer davantage d’unités sans exploser la consommation.
Cette évolution va directement servir :
Les premiers retours mettent en évidence un comportement thermique très différent des générations précédentes.
Le GAA permet une gestion plus fine de l’alimentation :
au lieu de couper brutalement pour éviter la surchauffe, l’Exynos 2500 ajuste progressivement la tension de chaque unité.
Le résultat observé dans les benchs est clair :
le processeur reste performant plus longtemps, même si le pic n’est pas toujours supérieur.
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C’est sur les tests multicœurs que le 3 nm GAA s’exprime le plus clairement.
Les clusters moyens profitent davantage de la technologie que le cœur principal, ce qui donne une structure de performance plus harmonieuse.
Ce comportement absence d’à-coups donne un meilleur score global, même si le point culminant reste similaire à celui observé sur les Snapdragon concurrents.